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高纯锗探测器制造技术
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文档序号:11856435
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本发明公开了一种高纯锗探测器,包括:高纯锗晶体,所述高纯锗晶体具有本征区裸露表面;第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极分别与高纯锗晶体的第一接触极和第二接触极相连;和导电保护环,所述导电保护环设置在所述本征区裸露表面中且环绕所述第一电...
该专利属于同方威视技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过同方威视技术股份有限公司授权不得商用。
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