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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：对半导体器件的衬底采用前段工艺，其中，所述前段工艺是制造半导体器件需要对衬底采用的工艺的集合；对经前段工艺处理的衬底采用第一次氢气退火工艺。本发明的半导体器件的制造方法，减小了悬挂键的密度...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。