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本发明涉及在FINFET装置的源/漏区上形成外延材料的方法及所形成装置，揭露一种示例装置，包括：定义于具有结晶结构的半导体衬底中的鳍片，其中，该鳍片的至少一侧壁基本朝向该衬底的<100>晶向设置；围绕该鳍片设置的栅极结构；邻近该...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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