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本发明提供了一种半导体器件，诸如肖特基二极管，其包括衬底、设置在所述衬底上方的第一有源层和设置在所述第一有源层上的第二有源层。所述第二有源层的带隙比所述第一有源层高，使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间产生二维电子气层。第一电极具有设置...
该专利属于威世通用半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过威世通用半导体公司授权不得商用。

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