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本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种齐纳二极管，包括半导体衬底，位于所述半导体衬底两端的外延层，位于所述半导体衬底上的低压阱，以及位于所述低压阱上的有源区，所述有源区到所述低压阱的侧壁的距离为0.4-1.2um。本实用新型实施例的齐纳...
该专利属于深圳市麦积电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市麦积电子科技有限公司授权不得商用。

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