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一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面形成有栅极结构；在栅极结构两侧衬底内形成掺杂区；在掺杂区表面形成第一金属层；在掺杂区表面形成第一金属接触层；在第一金属接触层表面形成第二金属层；对第二金属层进行第二退火处理，使第二金属层中的...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。