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本发明涉及一种微电子器件及其制造方法，具体涉及一种碳化硅二极管及其制造方法。碳化硅二极管包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底；碳化硅衬底上具有低掺杂浓度的第一导电类型的第一层碳化硅；第一区碳化硅，具有第二导电类型且在第一层碳化硅上形成；第二区...
该专利属于国家电网公司;国网智能电网研究院所有，仅供学习研究参考，未经过国家电网公司;国网智能电网研究院授权不得商用。

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