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对3D堆叠式存储设备的擦除操作基于存储元件的位置来针对每个存储元件调节擦除周期的开始时间和/或擦除周期的持续时间。给NAND串的一个或两个受驱端施加电压，以对沟道预充电至足以在选择栅极晶体管处创建栅极感应漏极泄漏的电平。在基于存储元件距受驱...
该专利属于桑迪士克技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克技术有限公司授权不得商用。

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