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本发明公开了一种SRAM芯片的PUF特性测试方法。本发明方法包括：步骤1、向待测SRAM芯片中的每个存储单元写入测试数据；步骤2、按照预设次数反复读取待测SRAM芯片中的每个存储单元的输出数据，并统计各存储单元输出数据在整个反复读取过程中的...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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