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本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底、设置在所述衬底上的第一有源层，以及设置在所述第一有源层上的第二有源层。所述第二有源层具有比所述第一有源层高的带隙，使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间产生二维电子气层。第一电极具有设置...
该专利属于威世通用半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过威世通用半导体公司授权不得商用。

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