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本发明提供了一种太赫兹波导无源器件的制造方法，包括以下步骤：S1、备片；S2、热氧化；S3、脱水烘加打底膜；S4、涂光刻胶；S5、将光刻胶中的溶剂含量降低到4％～7％；S6、将光刻掩膜版与硅晶圆对准；S7、采用扫描步进投影曝光；S8、中烘；...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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