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本发明涉及真空镀膜技术领域，具体地说是一种卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜系统。其特征在于：镀膜室的一端连接放卷室，镀膜室的另一端连接收卷室，并且镀膜室与放卷室的连接处及镀膜室与收卷室的连接处分别设有可通过柔性基片的狭长缝隙；...
该专利属于上海产业技术研究院;华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海产业技术研究院;华东师范大学授权不得商用。

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