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一种改善SONOS闪存中ONO结构的数据存储时效的方法，在生成氮氧化硅层的时候，控制一氧化二氮和氨气的气体比例，使得Si-H键主要分布从隧穿氧化层与氮氧化硅层的界面迁移到氮氧化硅层和隔绝氧化层之间的界面上。由于隔绝氧化层远厚于隧穿氧化层，这...
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