温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种集成不同厚度金属层以调节功函数的方法，包括：淀积第一厚度的金属层进行掩膜，刻蚀未被掩膜遮盖区域的部分金属层；去除掩膜.通过两次掩膜和两次刻蚀,可在同一硅片上形成三个不同的金属层厚度从而实现同一硅片上不同功函数的调节，以满足器件...
该专利属于南方科技大学;中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过南方科技大学;中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。