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本发明公开了一种新型GaN基PIN结构紫外探测器，属于半导体光电子器件技术领域，该器件包括衬底、缓冲层、N型短波过滤层、I型吸收层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极以及N型阻挡层，缓冲层外延在衬底上，N型短波过滤层制作在缓...
该专利属于中国电子科技集团公司第三十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第三十八研究所授权不得商用。

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