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本发明公开了一种GaN纳米线及其制备方法，GaN纳米线制备方法步骤包括：通过MOCVD在衬底上外延生长三族氮化物薄膜，并在此外延片上制备图形化掩蔽膜，基于MOCVD选择性区域生长方法在该图形化的外延片上生长GaN六角金字塔微结构，然后通过碱...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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