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本发明公开了一种场效应晶体管的制备方法及相应场效应晶体管，解决了现有技术中存在漏极位于衬底背面的场效应晶体管的导通损耗较大问题。该方法应用于漏极位于衬底背面的场效应晶体管，包括：在位于衬底正面的器件制备工序完成后，用保护膜覆盖衬底正面；对衬...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。