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本发明公开了一种CMOS低温低噪声运放电路,其偏置电路部分采用多级电流镜套构的方式,参考电流基准采用两个二极管连接的MOS管有源电阻生成,使放大器的参考电流具有较好的温度特性;放大部分采用差分输入的折叠共源共栅结构,一级放大就能使放大器的开...该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种CMOS低温低噪声运放电路,其偏置电路部分采用多级电流镜套构的方式,参考电流基准采用两个二极管连接的MOS管有源电阻生成,使放大器的参考电流具有较好的温度特性;放大部分采用差分输入的折叠共源共栅结构,一级放大就能使放大器的开...