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本发明公开一种在微器件表面区域性生长氧化锌纳米线阵列的方法，即首先是在微器件表面沉积一层聚对二甲苯类衍生物薄膜；然后再利用氧等离子体使用光刻工艺对聚对二甲苯类衍生物薄膜进行刻蚀，在微器件表面被氧等离子体刻蚀掉的聚对二甲苯类衍生物薄膜区和被保...
该专利属于上海应用技术学院所有，仅供学习研究参考，未经过上海应用技术学院授权不得商用。

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