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器件、磁传感器器件以及方法技术
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文档序号:11688851
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本发明涉及器件、磁传感器器件以及方法。其中,根据实施例的一种器件可以包括:磁阻结构,包括具有自发生成的平面内闭合通量磁化图案的磁自由层和具有非闭合通量磁化图案的磁参考层。...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。
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