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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有层间介电层，在层间介电层中形成有互连线；在半导体衬底上沉积形成保护层，并在保护层中形成底部电极；在半导体衬底上依次形成磁通道结材料层和具有磁通道结图案的光刻胶层；...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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