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一种FinFET器件的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干鳍部；在衬底以及鳍部上覆盖材料层；使材料层的一部分转换为框形的介质材料层；所述框形的介质材料层横跨所述鳍部；去除部分牺牲层，以露出框形的介质材料层以及框内区域的材料层；去除露出...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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