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本实用新型公开了一种基于深亚微米CMOS工艺的横向MOM电容。这种电容结构兼容于标准CMOS工艺，不需要额外的掩膜层支持，该电容可代替代工厂提供的MIM(Metal-Insulator-Metal)电容，从而避免了使用MIM电容时因增加的额...
该专利属于北京中电华大电子设计有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中电华大电子设计有限责任公司授权不得商用。

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