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本发明公开了一种nLDMOS耗尽管器件的工艺方法，对于高阈值电压的耗尽管，在器件的N阱和P阱形成以后，进行沟道区离子注入时，采用多步注入形式。其先采用P型杂质注入，再采用N型杂质注入。先进行P型杂质多步注入，其P型注入为垂直注入，最后耗尽管...
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