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一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：在衬底上形成相邻的第一、第二鳍部；形成横跨第一、第二鳍部的栅极；由下至上依次形成覆盖栅极和衬底的第一保护层、第一刻蚀停止层、第二保护层、第二刻蚀停止层；第二刻蚀停止层上形成图案化掩膜层，覆盖第二鳍部的第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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