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本发明公开了一种制作半导体器件的方法，根据本发明的方法提出了在后高K/后金属栅极工艺中添加多次钝化处理工艺，以阻止PMOS区域和NMOS区域中的铝的扩散最终使形成的半导体器件结构与传统工艺形成的半导体器件结构相比具有良好的间隙填充边缘和较低...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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