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本发明公开了一种快闪存储器隧道绝缘层的制作方法，所述方法包括：提供衬底；在700至800摄氏度下在所述衬底上形成隧道氧化物层；在400至550摄氏度下对所述隧道氧化物层的表面进行等离子体氮化处理，以形成氮化层；在700至800摄氏度下对所述...
该专利属于北京兆易创新科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京兆易创新科技股份有限公司授权不得商用。

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