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本发明一种倒装LED芯片及其制备方法，包括蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上形成的InGaAlN多层结构，所述InGaAlN多层结构从下至上包括N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，在所述P型GaN层上形成的反射层，在反射层表面沉积的金属保护...
该专利属于晶能光电(江西)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶能光电(江西)有限公司授权不得商用。

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