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本发明提供了一种具有双层优化层的磁电阻元件，包括依次相邻的参考层、势垒层、记忆层、第一晶格优化层、第二晶格优化层和基础层；所述参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；所述记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面；所述势垒层位于所述...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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