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本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置,涉及显示技术领域,为解决现有技术的薄膜晶体管中电极薄膜与相邻的薄膜层的密接性较差等问题而发明。一种薄膜晶体管,包括栅极、源极、漏极和缓冲层,所述缓冲层位于所述栅极、源极或漏极的一侧...该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置,涉及显示技术领域,为解决现有技术的薄膜晶体管中电极薄膜与相邻的薄膜层的密接性较差等问题而发明。一种薄膜晶体管,包括栅极、源极、漏极和缓冲层,所述缓冲层位于所述栅极、源极或漏极的一侧...