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本发明公开了一种提高IGBT性能的先进背面工艺制作方法，包括步骤：（1）在完成IGBT的正面工艺后，对晶圆的背面进行减薄，然后，对晶圆的背面进行施主杂质离子注入；（2）对晶圆的背面进行激光退火，激活背面注入的施主杂质离子，形成作为场终止作用...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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