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本公开涉及适宜使用RF组件的硅衬底，此类硅衬底形成的RF组件。提供硅衬底可通过使用由Czochralski处理形成的硅层并具有沉积在硅层上的载流子寿命时间杀灭层而更便宜地便于形成RF组件。...
该专利属于亚德诺半导体集团所有，仅供学习研究参考，未经过亚德诺半导体集团授权不得商用。

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