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一种掺钼氧化锌薄膜晶体管及其制备方法，本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明的核心在于采用掺钼的氧化锌半导体材料作为薄膜晶体管的导电沟道层，制备的掺钼的氧化锌薄膜的尺寸在20nm左右，在制备的过程中，利...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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