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本发明提供了一种改善SiC热氧化后的界面态的制造方法，包括以下步骤：步骤一，定义硅晶圆底材MOSFET工艺制程；步骤二，定义植入了低温H2或N2/H2退火工艺方法的硅晶圆底材MOSFET工艺制程用于碳化硅底材MOSFET工艺制程。本发明使S...
该专利属于上海芯亮电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯亮电子科技有限公司授权不得商用。

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