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本发明所述的一种薄膜晶体管，通过等离子体处理、离子注入或离子掺杂等工艺在金属氧化物半导体层沟道区域两侧进行卤族元素等强氧化性元素的处理，取代金属氧化物中的氧元素，在沟道区域两侧形成性能稳定的低阻区域，使得所述薄膜晶体管不但电学性能稳定，而且...该专利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司授权不得商用。