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本发明涉及一种射频裂解硒蒸气制作铜铟镓硒薄膜的方法，其特点是：步骤包括：1.将硒蒸发源通向射频裂解区域；2.硒蒸发源由n≥5的Sen大原子团蒸气，在等离子体撞击下裂解为n＜5的Sen小原子团；3.将Sen小原子团蒸气与Cu、In、Ga元素共...该专利属于中国电子科技集团公司第十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种射频裂解硒蒸气制作铜铟镓硒薄膜的方法，其特点是：步骤包括：1.将硒蒸发源通向射频裂解区域；2.硒蒸发源由n≥5的Sen大原子团蒸气，在等离子体撞击下裂解为n＜5的Sen小原子团；3.将Sen小原子团蒸气与Cu、In、Ga元素共...