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本发明公开了一种低栅极电阻的光罩式只读存储器的制造方法，步骤包括：1）用现有工艺在硅衬底有源区形成浅隔离槽，完成P阱注入和N型埋源漏注入，形成栅氧和多晶硅栅极；2）淀积二氧化硅介质层，回刻，形成栅极第一隔离侧墙；3）再次淀积二氧化硅介质层，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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