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一种基于面积的OPC模型校准方法，包括：提供初始的OPC模型、晶圆图形和形成所述晶圆图形的光刻工艺参数；获取所述晶圆图形的实际面积；将所述晶圆图形和上述光刻工艺参数输入到初始的OPC模型中，得到与晶圆图形相对应的仿真图形，获取所述仿真图形的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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