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本发明公开了一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料及其制作方法，制作方法包括：步骤一)放置材料、步骤二)材料外延、步骤三)锗浓缩。制得的绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料的结构自下而上依次为硅衬底、阻止N型杂质原子向硅衬底扩散的埋层SiO2、N型掺...
该专利属于福建工程学院所有，仅供学习研究参考，未经过福建工程学院授权不得商用。

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