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本发明公开了一种GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的制备工艺。其技术方案是：利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜，并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量。利用GaN样品成功地制备了MSM结构Ga...
该专利属于青岛平度市旧店金矿所有，仅供学习研究参考，未经过青岛平度市旧店金矿授权不得商用。

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