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本发明涉及一种易于粗化的红光LED芯片结构，包括由下而上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层，AlGaAs/AlAs DBR，AlInP N限制层，AlGaInP N波导层，MQW量子阱有源层，AlGaInPP波导层，AlInP P限制层...
该专利属于山东华光光电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华光光电子有限公司授权不得商用。

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