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一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有分立的支撑部，具有悬空于第一介质层表面的纳米线，纳米线的两端分别与相邻支撑部的侧壁连接；在纳米线表面形成伪栅极膜；采用各向异性干法刻蚀工艺刻蚀伪栅极膜和纳米线，直至暴露出第一介质层为止，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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