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一种多MEMS传感器的单芯片加工方法，首先在第一衬底的背面加工第二处理电路模块与第二传感结构模块所需的腔体、键合区，在正面制作第一传感结构模块、金属焊盘和通孔；然后在第二衬底圆片的正面制作第二处理电路模块、第二传感结构模块、金属焊盘和键合区...该专利属于北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所授权不得商用。