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本发明涉及一种压力传感器及其制备方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层以及压力传感膜；在所述层间介电层上沉积第一牺牲材料层；图案化所述第一牺牲材料层，以形成动极板凹槽形成动极板；图案化所述动极板，以在所述动极板中形成多个...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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