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本发明公开了一种聚对氨基苯磺酸/印迹聚邻苯二胺修饰电极及其制备方法和应用，所述方法包括：a、将目标电极置于第一缓冲溶液中采用循环伏安法进行扫描制备聚对氨基苯磺酸修饰电极的工序；b、将所述聚对氨基苯磺酸修饰电极置于第二缓冲溶液中采用循环伏安法...
该专利属于安徽师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽师范大学授权不得商用。

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