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本发明公开了一种NLDMOS的制造方法，在硅衬底上形成深N阱，低压N阱，场氧隔离层以及在所述硅衬底表面淀积栅介质层和多晶硅栅后，包括步骤：采用光刻工艺定义出P型体区的形成区域；采用刻蚀工艺将P型体区的形成区域的深N阱表面露出；依次进行二次P...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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