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一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法技术
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下载一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法的技术资料
文档序号:11507053
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本发明涉及电子封装件的制备方法,特别涉及一种含高体积分数SiC金属基复合电子封装件的制备方法。本发明按质量比,粘接剂:SiC颗粒=1:3-5,配取粘接剂和SiC颗粒并混合均匀,得到SiC预制体备用料后,通过3D打印技术得到设定尺寸、形状的S...
该专利属于中南大学所有,仅供学习研究参考,未经过中南大学授权不得商用。
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