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一种横向双扩散金氧半导体装置及其制造方法，其包括：半导体基板；外延半导体层，形成于该半导体基板上；栅极结构，设置于该外延半导体层上；第一掺杂区，设置于邻近该栅极结构的一第一侧的该外延半导体层内；第二掺杂区，设置于相对该栅极结构的该第一侧的一...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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