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本文描述了一种用于分析多晶半导体材料的晶体结构的方法。根据一个实施例，所述方法包括：对材料进行激励，以使材料发出发光信号；在材料的一预设空间区域中一网格的每个点处，在宽度大于或等于材料的带隙宽度的频带中，以一可变偏振角来检测发光信号；在材料...
该专利属于国家科学研究中心;法国电力公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家科学研究中心;法国电力公司授权不得商用。

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