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本发明涉及一种CMOS MEMS电容式湿度传感器及其制备方法，属于半导体芯片技术，该CMOS MEMS电容式湿度传感器由于位于湿度敏感介质层的正投影内的衬底上形成有若干子空气通道，从而通过该子空气通道提高传感器的灵敏度及可缩短响应时间，而又...
该专利属于苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司授权不得商用。

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